Анализа квантних механизама транспорта присутних у мемристивним уређајима на бази наноматеријала

Abstract

Истаживања у оквиру докторске дисертације имају за циљ да пруже допринос дубљем разумевању физичких механизама присутних код мемристора, с обзиром да у стручној литератури и даље постоје отворена питања везана за кључни процес који индукује мемристивни ефекат у материјалу. Као функционални материјал за меморије на бази промене валенце, на ком се испитује мемристивни ефекат, одабран је титанијум диоксид јер се већ показао као добар кандидат за резистивно-прекидачке меморије. Експериментални резултати показују ефекат квантизације проводности за ТiО2 мемристоре, што захтева развијање и примену модела балистичког транспорта за описивање електричних карактериристика узорка.

Istaživanja u okviru doktorske disertacije imaju za cilj da pruže doprinos dubljem razumevanju fizičkih mehanizama prisutnih kod memristora, s obzirom da u stručnoj literaturi i dalje postoje otvorena pitanja vezana za ključni proces koji indukuje memristivni efekat u materijalu. Kao funkcionalni materijal za memorije na bazi promene valence, na kom se ispituje memristivni efekat, odabran je titanijum dioksid jer se već pokazao kao dobar kandidat za rezistivno-prekidačke memorije. Eksperimentalni rezultati pokazuju efekat kvantizacije provodnosti za TiO2 memristore, što zahteva razvijanje i primenu modela balističkog transporta za opisivanje električnih karakteriristika uzorka.

Research topics in this PhD thesis aims to provide contribution in deeper understanding of physical mechanisms which drives resistive-switching mechanism in memristors, as existing literature provides open questions for key mechanism processes which influences memristive effect in materials. In order to test response of Valance Change Memories, TiO2 nanomaterial was used as the functional layer, as this material was already shown suitable for these applications. Measured results show conductance quantization effect for TiO2 based memristors, which requiers ballistic transport model for interpretation of electrical response of the device.