Radijaciona otpornost filmova indijum oksida u stanju izolatora sa Kuperovim parovima

Abstract

U radu “Radijaciona otpornost filmova indijum-oksida u stanju izolatora sa Kuperovim parovima” sagledava se ponašanje filmova indijum-oksida u različitim radijacionim sredinama, za različite jone, energije zračenja i fluense, kao i pojava pojedinih radijacionih efekata u filmovima predviđenih teorijskim modelom. Efekti jonizujućeg zračenja analizirani su primenom Monte Karlo simulacije. Kombinovanom teorijskom i numeričkom analizom u radu je prikazano da promene u filmovima indijum-oksida prouzrokovane zračenjem mogu značajno uticati na njihove karakteristike. U uvodnim poglavljima rada navodi se razlog zašto je potrebno da se ispitaju efekti zračenja na savremene elektronske komponente koje pod određenim uslovima prelaze u stanje izolatora. Takođe, definisane su osnovne osobine materije, dielektričnih materijala i izolatora, kao i efekti koji nastaju prolaskom zračenja kroz materijale. U poglavljima koji slede prikazana je struktura izolatora sa Kuperovim parovima sa osvrtom na indijum-oksid filmove i razmotrene su Monte Carlo metode za uzorkovanje slučajnih veličina korišćene za kompjuterske simulacije prolaska zračenja kroz materijale. U sledećem poglavlju prikazani su postignuti rezultati za efekte interakcije zračenja sa tankim filmovima indijum oksida, a sledi poglavlje sa diskusijom dobijenih rezultata. Na samom kraju prodiskutovana je kompatibilnost izolatora sa Kuperovim parovima pri izlaganju zračenju i konstatovano je da su rezultati dobijeni simulacijom i njihova povezanost sa teorijskim očekivanjima u skladu sa prethodno iznesenim razmatranjima

The dissertation "Radiation Hardness of Indium Oxide Films in the Cooper-pair Insulator State" presents a behavior of indium-oxide films in a variety of radiation environments for different ions, energies and fluences of incident radiation, and occurrence of some radiation damages in films predicted by the theoretical model. Radiation effects were analyzed by Monte Carlo simulations. Combined theoretical and numerical analysis in dissertation shows that radiation-induced changes in indium-oxide films could significantly affect their characteristics. Introductory chapters provide the reason why it is necessary to investigate the radiation effects on modern electronic components that under certain conditions convert to insulator state. They also define basic characteristics of the material, dielectric and insulators, as well effects arising due to the transport of the radiation through materials. The next chapters give structure of the Cooper-pair insulator state with emphasis on the indium oxide films and describe the Monte Carlo methods for random sampling used for computer simulation of a particle transport inside materials. The next chapter provides obtained results for the effects of the radiation interaction with thin indium oxide films, followed by the chapter that discusses these results. The final part of the dissertation deals with the compatibility of the insulator with Cooper pairs when exposed to radiation field and concludes that the results from numerical experiments and their correlation with the theoretical expectations are consistent with previously reported observations.