Show simple item record

Електронске особине и морфологија танких филмова органских материјала добијених комбинаторијалним напаравањем из гасне фазе

dc.contributor.advisorJovanović, Vladimir
dc.contributor.otherPopović, Dušan
dc.contributor.otherPoparić, Goran
dc.contributor.otherStojadinović, Stevan
dc.contributor.otherSrdanov, Vojislav
dc.creatorTomović, Aleksandar Ž.
dc.date.accessioned2016-07-10T17:39:40Z
dc.date.available2016-07-10T17:39:40Z
dc.date.available2020-07-03T09:50:19Z
dc.date.issued2015-12-23
dc.identifier.urihttp://eteze.bg.ac.rs/application/showtheses?thesesId=3070
dc.identifier.urihttps://nardus.mpn.gov.rs/handle/123456789/5766
dc.identifier.urihttps://fedorabg.bg.ac.rs/fedora/get/o:11332/bdef:Content/download
dc.identifier.urihttp://vbs.rs/scripts/cobiss?command=DISPLAY&base=70036&RID=47619599
dc.description.abstractThere is an ongoing interest in organic materials due to their application in various organic electronic devices. However stability of organic materials limits their potential use. They are prone to degradation both during the working life and storage. One of the main causes is extrinsic degradation, under the influence of oxygen and moisture. This problem can be solved by encapsulation of devices. However no encapsulation is perfect. In the first part of this work a study of degradation of thin films of N,N′-bis(3- methylphenyl)-N,N′-bis(phenyl)benzidine (TPD) and 4,4′-bis(2,2-diphenylvinyl)-1,1′-biphenyl (DPVBi) under UV irradiation in air is given. Films of both materials are stable in vacuum, but readily degrade in the presence of oxygen. Thus, the necessary condition for degradation is the simultaneous presence of UV light and oxygen. Chemical analysis of irradiated films by NMR, mass and infrared spectroscopy revealed presence of oxidized species (impurities). These impurities are responsible for increased morphological stability of irradiated films and quenching of photoluminescence. Only small amount of impurities, 0.4 % (0.2 %) for TPD (DPVBi), causes 50 % decrease of photoluminescence. This implies a non-trivial mechanism of quenching. For both molecules it was found that distance between impurities is smaller or equal to exciton diffusion length, which is the necessary condition for quenching. Following mechanism of quenching is proposed: exciton diffuses by hopping form one DPVBi (TPD) to another through FRET in a random walk manner. If, during its lifetime, it comes to proximity of an impurity, a Dexter-type energy transfer occurs and PL is quenched. Findings of DPVBi study are important because they show that even a small amount of oxygen that penetrates a DPVBi layer would impair luminescence efficiency of a device. Moreover, the absorption of own radiation (for DPVBi and TPD both) would additionally contribute to the rate of degradation of a device. It is reasonable to expect that transport properties would also be affected when materials are used as a holetransporting layer in OLEDs.en
dc.description.abstractПостоји велики интерес за органске материјале због њихове примене у различитим органским електронским уређајима. Међутим стабилност орагнских материјала ограничава њихову примену. Они су подложни деградацији не само за време операције уређаја већ и за време складиштења. Један од главних узрока је деградација услед спољних утицаја: светлости, влаге и кисеоника. Овај проблем може да се превазиђе путем енкапсулације уређаја, али ниједан вид енкапсулације није савршен. У првом делу рада биће изложена студија деградације танких филмова N,N′- bis(3-methylphenyl)-N,N′-bis(phenyl)benzidine (TPD) и 4,4′-bis(2,2-diphenylvinyl)- 1,1′-biphenyl (DPVBi) под утицајем УВ зрачења у ваздуху. Филмови оба материјала су стабилни у вакууму, али деградирају у присуству кисеоника. Дакле, непоходан услов за деградацију, потребно је истовремено присуство УВ светлости и кисеоника. Хемијска анализа осветљених филмова извршена уз помоћ NMR, масене и инфрацрвене спектроскопије показала је присуство оксидованих врста (нечистоћа). Нечистоће су одговорне за повећану морфолошку стабилност осветљених филмова и гашење фотолуминесценције. Мала количина нечистоћа, 0.4 % (0.2 %) у случају TPD (DPVBi), изазива пад интензитета фотолуминесценције од 50 %. Ово имплицира нетривијални механизам гашења фотолуминесценције. За оба молекула је нађено да је растојања између нечистоћа мање или приближно једнако дужини дифузије ексцитона што је неопходан услов за гашење фотолуминесценције. Предложен је механизам гашења: ексцитони дифундују у скоковима од једног до другог молекула DPVBi (TPD) случајним ходом путем Форстеровог резонатног трансфера енергије. Ако у току свог времена живота ексцитон дође у близину нечистоће долази до Декстеровог трансфера енергије и гашења фотолуминесценције. Резултати студије за DPVBi молекул су важни зато што показују да и мала количина кисеоника у слоју DPVBi може озбиљно да утиче на фотолуминесцентну ефикасност уређаја. Штавише, апсорпција сопственог зрачења (код оба молекула, DPVBi и TPD) ће додатно да допринесе брзини деградације уређаја. Разумно је претпоставити да ће и транспортне особине бити нарушене у случају када се ови материјали користе као слој за транспорт шупљина у органским светлећим диодама.sr
dc.formatapplication/pdf
dc.languageen
dc.publisherУниверзитет у Београду, Физички факултетsr
dc.relationinfo:eu-repo/grantAgreement/MESTD/Integrated and Interdisciplinary Research (IIR or III)/41028/RS//
dc.relationinfo:eu-repo/grantAgreement/MESTD/Basic Research (BR or ON)/171033/RS//
dc.rightsopenAccessen
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.sourceУниверзитет у Београдуsr
dc.subjectTPDsr
dc.subjectTPDen
dc.subjectDPVBisr
dc.subjectPentacenesr
dc.subjectthin filmssr
dc.subjectorganic materialssr
dc.subjectdegradationsr
dc.subjectoxidationsr
dc.subjectPL quenchingsr
dc.subjectUV-VIS spectroscopysr
dc.subjectmass spectroscopy.sr
dc.subjectDPVBien
dc.subjectпентаценen
dc.subjectтанки филмовиen
dc.subjectоргански материјалиen
dc.subjectдеградацијаen
dc.subjectоксидацијаen
dc.subjectгашење фотолуминесценцијеen
dc.subjectUV-VIS спектроскопијаen
dc.subjectмасена спектроскопија.en
dc.titleElectronic properties and morphologies of thin films of organic molecules obtained by combinatorial deposition from gaseous phaseen
dc.titleЕлектронске особине и морфологија танких филмова органских материјала добијених комбинаторијалним напаравањем из гасне фазеsr
dc.typedoctoralThesisen
dc.rights.licenseBY-NC-ND
dcterms.abstractЈовановић, Владимир; Поповић, Душан; Срданов, Војислав; Стојадиновић, Стеван; Попарић, Горан; Томовић, Aлександар Ж.; Elektronske osobine i morfologija tankih filmova organskih materijala dobijenih kombinatorijalnim naparavanjem iz gasne faze;
dc.identifier.fulltexthttps://nardus.mpn.gov.rs/bitstream/id/24939/Disertacija3610.pdf
dc.identifier.fulltexthttps://nardus.mpn.gov.rs/bitstream/id/24940/Tomovic_Aleksandar.pdf
dc.identifier.fulltexthttp://nardus.mpn.gov.rs/bitstream/id/24939/Disertacija3610.pdf
dc.identifier.fulltexthttp://nardus.mpn.gov.rs/bitstream/id/24940/Tomovic_Aleksandar.pdf
dc.identifier.rcubhttps://hdl.handle.net/21.15107/rcub_nardus_5766


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record