Nova konfiguracija širokopojasnog nisko-šumnog pojačavača u CMOS tehnologiji

Abstract

Nisko-šumni pojačavač (NŠP) nalazi se u prijemnom delu bežičnog primopredajnika neposredno nakon antene. NJegova uloga je da ulazni signal određene frekvencije i male snage izdvoji i pojača iznad nivoa šuma prijemnika. U okviru doktorske disertacije prikazane su i opisane metode za projektovanje širokopojasnih (UWB) NŠP u CMOS tehnologiji. Ukupno je predloženo devet novih konfiguracija NŠP. Na osnovu dobijenih rezultata, u 0,18 μm UMC CMOS tehnologiji realizovan je i fabrikovan NŠP jednostavne topologije, koja predstavlja zbir dva pristupa, pojačavačkog stepena kaskodne strukture sa povratnom spregom i stepena sa višestrukim iskorišćenjem struje. NŠP je projektovan za frekvencijski opseg od 3,1 do 5 GHz. Takođe, opisana je metoda za merenje parametara NŠP, a zatim je i izvršena njegova karakterizacija.

In the transceiver chain the low noise amplifier (LNA) is placed in the frontend of the receiver after the antenna. The LNA needs to isolate and amplify received weak signal at a specific frequency above the noise level of the receiver. In the scope of this doctoral dissertation methods for designing ultra-wideband (UWB) LNA in CMOS technology are presented and described. Nine new LNA configurations were proposed. Based on the obtained results, simple LNA configuration, obtained by merging casode feedback topology and current-reuse technique, was realized and fabricated in 0.18 μm UMC CMOS technology. The LNA is designed for the frequency band from 3.1 to 5 GHz. In addition, the method for measurement LNA parameters is described and the proposed LNA was characterized.