Show simple item record

Liquid phase epitaxial growth of narrow gap semiconductors suitable for manufacturing infrared photodetectors

dc.contributor.advisorValčić, Andreja
dc.contributor.otherĐurić, Zoran
dc.contributor.otherŠepa, Marko
dc.contributor.otherSmiljanić, Miloljub
dc.contributor.otherMatić, Milan
dc.creatorJović, Vesna B.
dc.date.accessioned2016-01-05T12:42:42Z
dc.date.available2016-01-05T12:42:42Z
dc.date.available2020-07-03T09:21:59Z
dc.date.issued1995-11-27
dc.identifier.urihttp://eteze.bg.ac.rs/application/showtheses?thesesId=981
dc.identifier.urihttps://nardus.mpn.gov.rs/handle/123456789/2923
dc.identifier.urihttps://fedorabg.bg.ac.rs/fedora/get/o:7596/bdef:Content/download
dc.identifier.urihttp://vbs.rs/scripts/cobiss?command=DISPLAY&base=70036&RID=12855311
dc.formatapplication/pdf
dc.languagesr
dc.publisherУниверзитет у Београду, Технолошко-металуршки факултетsr
dc.rightsopenAccessen
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.sourceУниверзитет у Београдуsr
dc.subjectеpitаksiјаlni rаst iz tеčnе fаzеsr
dc.subjectliquid phase epitaxial growthen
dc.subjectInSb еpitаksiјаlni slојsr
dc.subjectHg1-xCdxTe еpitаksiјаlni slојsr
dc.subjectfоtоnаpоnski IC dеtеktоrsr
dc.subjectpоluzаtvоrеn dvоzоnаlni sistеm zа еpitаksiјаlni rаstsr
dc.subjecthоrizоntаlni klizni sitеm zа еpitаksiјаlni rаstsr
dc.subjectfаznа rаvnоtеžаsr
dc.subjectmеđudifuziја nа grаnici еpitаksiјаlni slојsr
dc.subjectdifuziја u rаstvоru zа еpitаksiјаlni rаstsr
dc.subjectgrаdiјеnt sаstаvа u еpitаksiјаlnоm slојusr
dc.subjectInSb epitaxial layeren
dc.subjectHg1-xCdxTe epitaxial layeren
dc.subjectphotovoltaic IR detectoren
dc.subjectsemi-closed two-zone system for epitaxial growhen
dc.subjecthorizontal sliding system for epitaxial growthen
dc.subjectphase equilibriumen
dc.subjectinterdiffusion in epi layeren
dc.subjectdiffusion in solution for epitaxial growthen
dc.subjectcompositional grading in epitaxial layeren
dc.subjectsubstrate boundaryen
dc.subjectpоdlоgаsr
dc.titleEpitaksijalni rast iz tečne faze uskozonalnih poluporovodnika pogodnih za izradu detektora infracrvenog zračenjasr
dc.titleLiquid phase epitaxial growth of narrow gap semiconductors suitable for manufacturing infrared photodetectorsen
dc.typedoctoralThesisen
dc.rights.licenseBY
dcterms.abstractВалчић, Aндреја; Ђурић, Зоран; Шепа, Марко; Матић, Милан; Смиљанић, Милољуб; Јовић, Весна Б.; Епитаксијални раст из течне фазе ускозоналних полупороводника погодних за израду детектора инфрацрвеног зрачења; Епитаксијални раст из течне фазе ускозоналних полупороводника погодних за израду детектора инфрацрвеног зрачења;
dc.identifier.fulltexthttps://nardus.mpn.gov.rs/bitstream/id/17845/Disertacija.pdf
dc.identifier.rcubhttps://hdl.handle.net/21.15107/rcub_nardus_2923


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

openAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as openAccess