Faculty:

Универзитет у Београду, Технолошко-металуршки факултет

Date:

27-11-1995

Keywords:

еpitаksiјаlni rаst iz tеčnе fаzе / liquid phase epitaxial growth / InSb еpitаksiјаlni slој / Hg1-xCdxTe еpitаksiјаlni slој / fоtоnаpоnski IC dеtеktоr / pоluzаtvоrеn dvоzоnаlni sistеm zа еpitаksiјаlni rаst / hоrizоntаlni klizni sitеm zа еpitаksiјаlni rаst / fаznа rаvnоtеžа / mеđudifuziја nа grаnici еpitаksiјаlni slој / difuziја u rаstvоru zа еpitаksiјаlni rаst / grаdiјеnt sаstаvа u еpitаksiјаlnоm slојu / InSb epitaxial layer / Hg1-xCdxTe epitaxial layer / photovoltaic IR detector / semi-closed two-zone system for epitaxial growh / horizontal sliding system for epitaxial growth / phase equilibrium / interdiffusion in epi layer / diffusion in solution for epitaxial growth / compositional grading in epitaxial layer / substrate boundary / pоdlоgа