Show simple item record

Radiation resistance of flash memory manufactured in deep-submicron technology

dc.contributor.advisorOsmokrović, Predrag
dc.contributor.otherVujisić, Miloš
dc.contributor.otherVasić-Milovanović, Aleksandra
dc.contributor.otherBlagojević, Vladimir
dc.contributor.otherKovačević, Branko
dc.creatorDolićanin, Edin
dc.date.accessioned2016-01-05T11:54:39Z
dc.date.available2016-01-05T11:54:39Z
dc.date.available2020-07-03T08:32:57Z
dc.date.issued2012-12-28
dc.identifier.urihttp://eteze.bg.ac.rs/application/showtheses?thesesId=313
dc.identifier.urihttp://nardus.mpn.gov.rs/handle/123456789/2247
dc.identifier.urihttps://fedorabg.bg.ac.rs/fedora/get/o:5756/bdef:Content/download
dc.identifier.urihttp://vbs.rs/scripts/cobiss?command=DISPLAY&base=70036&RID=43462927
dc.description.abstractU radu radijaciona otpornost fleš memorija izrañenih u duboko-submikronskoj tehnologiji, razmatra se aktuelan problem pouzdanosti rada elektronskih memorija u uslovima dejstva jonizujućeg zračenja. Rad je aktuelan pošto visoki stepen minijaturizacije komponenata integrisanih u fleš memorije prouzrokovao izuzetnu osetljivost ovog tipa memorija na efekte jonizujućeg zračenja. Efekti jonizujućeg zračenja mogu biti takvi da dovedu do promene memorisanih podataka ili čak do fizičkog uništenja samih komponenata. Rad je teoretskog, eksperimentalnog i numeričkog karaktera. U uvodnim poglavljima se navode osnovni podacio interakciji zračenja sa materijalom, definiše doza zračenja, ukratko prikazuje metoda Monte - Karlo za simulaciju nuklearnih interakcija, daju podaci o tipovima i konstruktivnim rešenjima ispitivanih fleš memorija. U poglavlju u kome se govori o eksperimentu, ukratko su prikazana polja zračenja Instituta za nuklearne nauke Vinča, gde je eksperimentalni deo rada rañen, i definisane energije i doze primenjivanog zračenja. U poglavlju koje sledi dati su rezultati brojnih autora, meñu kojima je bio i autor teze, o radijacionoj otpornosti MOSFETA sa izolovanim gejtom, na kome se u osnovi, bazira funkcionisanje fleš memorija. Nakon toga je data teorija radijacionih efekata na fleš memorije na kojima se nalaze i originalna tumačenja ovih efekata. Na kraju rada su prikazani i prodiskutovani eksperimentalno i numerički dobijeni efekti zračenja na konkretnim fleš memorijama. Rezultati dobijeni realnim i numeričkim eksperimentom su pokazali dobro slaganje, kako meñusobno, tako i sa teoretski očekivanim rezultatima.sr
dc.description.abstractDissertation "Radiation Hardness of Flash Memories Fabricated in Deep Submicron Technology" investigates the relevant problem of electronic memory reliability under exposure to ionizing radiation. The dissertation is up-to-date because the high degree of miniaturization of components integrated into flash memories makes this type of memory very sensitive to ionizing radiation. Ionizing radiation effects can cause changes in the stored content or even physical destruction of memory components. The dissertation is theoretical, experimental, and numerical in character. Introductory chapters provide basic information about the interaction of radiation with materials, state the definition of the absorbed dose, describe concisely the Monte Carlo methods for simulating nuclear interactions, and provide data about the types and construction details of the investigated flash memories. The chapter concerned with the experiment gives a short depiction of radiation fields at the Vinča Institute of Nuclear Sciences, where the experimental part was conducted, and defines the energies and doses of utilized radiation. The next chapter provides results by several authors, including the author of the dissertation, on the radiation hardness of MOSFETs with insulated gates, which form the basis of flash memories. The next part of the dissertation deals with the theory of radiation effects in flash memories, including original explanations of these effects. The final part presents and discusses the effects observed experimentally and numerically in specific flash memories. Results from real and numerical experiments are in good agreement, both with one another and with the theoretically anticipated valuesen
dc.formatapplication/pdf
dc.languagesr
dc.publisherУниверзитет у Београду, Електротехнички факултетsr
dc.relationinfo:eu-repo/grantAgreement/MESTD/Basic Research (BR or ON)/171007/RS//
dc.rightsopenAccessen
dc.sourceУниверзитет у Београдуsr
dc.subjectfleš memorijasr
dc.subjectflesh memoryen
dc.subjectMOSFETsr
dc.subjectradijaciona otpornostsr
dc.subjectMonte Karlo simulacijasr
dc.subjectdoza zračenjasr
dc.subjectMOSFETen
dc.subjectradiation hardnessen
dc.subjectMonte Carlo simulationen
dc.subjectradation doseen
dc.titleRadijaciona otpornost fleš memorija izrađenih u duboko-submikronskoj tehnologijisr
dc.titleRadiation resistance of flash memory manufactured in deep-submicron technologyen
dc.typedoctoralThesisen
dc.rights.licenseBY
dcterms.abstractОсмокровић, Предраг; Васић-Миловановић, Aлександра; Вујисић, Милош; Благојевић, Владимир; Ковачевић, Бранко; Долићанин, Един; Радијациона отпорност флеш меморија израђених у дубоко-субмикронској технологији; Радијациона отпорност флеш меморија израђених у дубоко-субмикронској технологији;
dc.identifier.fulltexthttp://nardus.mpn.gov.rs/bitstream/id/4939/Disertacija.pdf


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record