Национални Репозиторијум Дисертација у Србији
    • English
    • Српски
    • Српски (Serbia)
  • Српски (ћирилица) 
    • Енглески
    • Српски (ћирилица)
    • Српски (латиница)
  • Пријава
Преглед дисертације 
  •   НаРДуС - почетна
  • Универзитет у Београду
  • Електротехнички факултет
  • Преглед дисертације
  •   НаРДуС - почетна
  • Универзитет у Београду
  • Електротехнички факултет
  • Преглед дисертације
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Radijaciona otpornost fleš memorija izrađenih u duboko-submikronskoj tehnologiji

Radiation resistance of flash memory manufactured in deep-submicron technology

Thumbnail
2012
Disertacija.pdf (5.976Mb)
Докторанд
Dolićanin, Edin
Ментор
Osmokrović, Predrag
Чланови комисије
Vujisić, Miloš
Vasić-Milovanović, Aleksandra
Blagojević, Vladimir
Kovačević, Branko
Метаподаци
Приказ свих података о дисертацији
Сажетак
U radu radijaciona otpornost fleš memorija izrañenih u duboko-submikronskoj tehnologiji, razmatra se aktuelan problem pouzdanosti rada elektronskih memorija u uslovima dejstva jonizujućeg zračenja. Rad je aktuelan pošto visoki stepen minijaturizacije komponenata integrisanih u fleš memorije prouzrokovao izuzetnu osetljivost ovog tipa memorija na efekte jonizujućeg zračenja. Efekti jonizujućeg zračenja mogu biti takvi da dovedu do promene memorisanih podataka ili čak do fizičkog uništenja samih komponenata. Rad je teoretskog, eksperimentalnog i numeričkog karaktera. U uvodnim poglavljima se navode osnovni podacio interakciji zračenja sa materijalom, definiše doza zračenja, ukratko prikazuje metoda Monte - Karlo za simulaciju nuklearnih interakcija, daju podaci o tipovima i konstruktivnim rešenjima ispitivanih fleš memorija. U poglavlju u kome se govori o eksperimentu, ukratko su prikazana polja zračenja Instituta za nuklearne nauke Vinča, gde je eksperimentalni deo rada rañen, i definis...ane energije i doze primenjivanog zračenja. U poglavlju koje sledi dati su rezultati brojnih autora, meñu kojima je bio i autor teze, o radijacionoj otpornosti MOSFETA sa izolovanim gejtom, na kome se u osnovi, bazira funkcionisanje fleš memorija. Nakon toga je data teorija radijacionih efekata na fleš memorije na kojima se nalaze i originalna tumačenja ovih efekata. Na kraju rada su prikazani i prodiskutovani eksperimentalno i numerički dobijeni efekti zračenja na konkretnim fleš memorijama. Rezultati dobijeni realnim i numeričkim eksperimentom su pokazali dobro slaganje, kako meñusobno, tako i sa teoretski očekivanim rezultatima.

Dissertation "Radiation Hardness of Flash Memories Fabricated in Deep Submicron Technology" investigates the relevant problem of electronic memory reliability under exposure to ionizing radiation. The dissertation is up-to-date because the high degree of miniaturization of components integrated into flash memories makes this type of memory very sensitive to ionizing radiation. Ionizing radiation effects can cause changes in the stored content or even physical destruction of memory components. The dissertation is theoretical, experimental, and numerical in character. Introductory chapters provide basic information about the interaction of radiation with materials, state the definition of the absorbed dose, describe concisely the Monte Carlo methods for simulating nuclear interactions, and provide data about the types and construction details of the investigated flash memories. The chapter concerned with the experiment gives a short depiction of radiation fields at the Vinča Institute of... Nuclear Sciences, where the experimental part was conducted, and defines the energies and doses of utilized radiation. The next chapter provides results by several authors, including the author of the dissertation, on the radiation hardness of MOSFETs with insulated gates, which form the basis of flash memories. The next part of the dissertation deals with the theory of radiation effects in flash memories, including original explanations of these effects. The final part presents and discusses the effects observed experimentally and numerically in specific flash memories. Results from real and numerical experiments are in good agreement, both with one another and with the theoretically anticipated values

Факултет:
Универзитет у Београду, Електротехнички факултет
Датум одбране:
28-12-2012
Пројекти:
  • Физички и функционални ефекти интеракције зрачења са електротехничким и биолошким системима (RS-171007)
Кључне речи:
fleš memorija / flesh memory / MOSFET / radijaciona otpornost / Monte Karlo simulacija / doza zračenja / MOSFET / radiation hardness / Monte Carlo simulation / radation dose
[ Google Scholar ]
Остали линкови:
http://eteze.bg.ac.rs/application/showtheses?thesesId=313
http://nardus.mpn.gov.rs/handle/123456789/2247
https://fedorabg.bg.ac.rs/fedora/get/o:5756/bdef:Content/download
http://vbs.rs/scripts/cobiss?command=DISPLAY&base=70036&RID=43462927

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
О НаРДуС порталу | Пошаљите запажања

OpenAIRERCUBRODOSTEMPUS
 

 

Преглед

Све дисертацијеУниверзитети и факултетиДокторандиМенториЧланови комисијаТемеФакултетДокторандиМенториЧланови комисијаТеме

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
О НаРДуС порталу | Пошаљите запажања

OpenAIRERCUBRODOSTEMPUS