Mogućnost primene komercijalnih VDMOS tranzistora snage kao senzora i dozimetara jonizujućeg zračenja izrađenih od elementarnih poluprovodničkih materijala
Possibility of application of commercial VDMOSpower transistors as sensors and dosimeters of ionizing radiation made of elemental semiconductor materials
Author
Obrenović, Marija D.Mentor
Janićijević, Aco
Committee members
Šašić, RajkoKartalović, Nenad

Kočinac, Saša
Metadata
Show full item recordAbstract
U radu se razmatra se uticaj dejstva jonizujućeg zračenja na pouzdanost rada
MOS komponenti.
Sve veći stepen minijaturizacije elektronskih komponenata i sklopova, kao i
stalni porast elektromagnetne i čestične kontaminacije životne sredine, dovodi do
nepouzdanosti rada elektronskih uređaja. Kako je savremena civilizacija skoro potpuno
zavisna od pouzdanosti rada savremene elektronike, njeno obezbeđivanje od šuma
indukovanog jonizujućim zračenjem, predstavlja prvorazredni problem projektovanja
integrisanih komponenata visoke gustine pakovanja. To je posebno bitno u situaciji
kada su elektronski sklopovi predviđeni za rad u uslovima povećanog polja jonizujućeg
zračenja, kao što su nuklearna postrojenja, avioni i kosmičke letelice.
Metode koje će se ispitivati su teoretsko eksperimentalne.
U radu je istraživan pomeraj napona praga komercijalnih p-kanalnih snažnih
VDMOSFET-a tokom ozračivanja gama zračenjem u opsegu doza od 10 do 100 Gy.
Ozračivanje je vršteno bez prisustva napona na gejtu... kao i sa naponom na gejtu od 5 V.
Pokazalo se da postoji linearna zavisnost između pomeraja napona praga i apsorbovane
doze zračenja za komponentu kod koje je napon na gejtu tokom ozračivanja iznosio 5
V. Gustine fiksnih i promenljivih centara su određivane iz podpragovskih I-V
karakteristika korišćenjem midgap tehnike. Pokazano je da se tokom ozračivanja
formira znatno veća gustina fiksnih centara zahvata. Takođe su analizirani mogući
mehanizmi odgovorni za formiranje fiksnih i promenljivih centara zahvata tokom
ozračivanja.
The influence of ionizing radiation on the reliability of MOS components is
considered in the paper.
The increasing degree of miniaturization of electronic components and circuits,
as well as the steady increase in electromagnetic and particulate environmental
contamination, has led to the unreliability of electronic devices. As modern civilization
is almost entirely dependent on the reliability of modern electronics, its provision
against noise induced by ionizing radiation is a first-class problem for the design of
integrated components of high packing density. This is especially important in
situations where electronic circuits are designed to operate in the conditions of an
increased ionizing radiation field, such as nuclear facilities, aircraft and spacecraft.
The methods to be tested are theoretically experimental.
The variations in threshold voltage shift in p-channel power VDMOSFETs during
gamma-ray irradiation was investigated in the dose range from 10 to 100 Gy.
Investigation...s were performed without gate bias and with 5 V gate bias. Devices with 5
V gate bias exhibit linear dependence between threshold voltage shift and radiation
dose. The densities of radiation-induced fixed and switching traps were determined
from sub-threshold I-V characteristics using midgap technique. It was shown that the
creation of fixed traps is dominant during irradiation. Possible mechanisms responsible
for fixed and switching traps creation are also analyzed in this paper.
Faculty:
Универзитет у Београду, Технолошко-металуршки факултетDate:
01-06-2020Projects:
- Physical and functional effects of radiation interaction with electrotechnical and biological systems (RS-171007)