Epitaksijalni rast iz tečne faze uskozonalnih poluporovodnika pogodnih za izradu detektora infracrvenog zračenja
Liquid phase epitaxial growth of narrow gap semiconductors suitable for manufacturing infrared photodetectors
dc.contributor.advisor | Valčić, Andreja | |
dc.contributor.other | Đurić, Zoran | |
dc.contributor.other | Šepa, Marko | |
dc.contributor.other | Smiljanić, Miloljub | |
dc.contributor.other | Matić, Milan | |
dc.creator | Jović, Vesna B. | |
dc.date.accessioned | 2016-01-05T12:42:42Z | |
dc.date.available | 2016-01-05T12:42:42Z | |
dc.date.available | 2020-07-03T09:21:59Z | |
dc.date.issued | 1995-11-27 | |
dc.identifier.uri | https://nardus.mpn.gov.rs/handle/123456789/2923 | |
dc.identifier.uri | http://eteze.bg.ac.rs/application/showtheses?thesesId=981 | |
dc.identifier.uri | https://fedorabg.bg.ac.rs/fedora/get/o:7596/bdef:Content/download | |
dc.identifier.uri | http://vbs.rs/scripts/cobiss?command=DISPLAY&base=70036&RID=12855311 | |
dc.format | application/pdf | |
dc.language | sr | |
dc.publisher | Универзитет у Београду, Технолошко-металуршки факултет | sr |
dc.rights | openAccess | en |
dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | |
dc.source | Универзитет у Београду | sr |
dc.subject | еpitаksiјаlni rаst iz tеčnе fаzе | sr |
dc.subject | liquid phase epitaxial growth | en |
dc.subject | InSb еpitаksiјаlni slој | sr |
dc.subject | Hg1-xCdxTe еpitаksiјаlni slој | sr |
dc.subject | fоtоnаpоnski IC dеtеktоr | sr |
dc.subject | pоluzаtvоrеn dvоzоnаlni sistеm zа еpitаksiјаlni rаst | sr |
dc.subject | hоrizоntаlni klizni sitеm zа еpitаksiјаlni rаst | sr |
dc.subject | fаznа rаvnоtеžа | sr |
dc.subject | mеđudifuziја nа grаnici еpitаksiјаlni slој | sr |
dc.subject | difuziја u rаstvоru zа еpitаksiјаlni rаst | sr |
dc.subject | grаdiјеnt sаstаvа u еpitаksiјаlnоm slојu | sr |
dc.subject | InSb epitaxial layer | en |
dc.subject | Hg1-xCdxTe epitaxial layer | en |
dc.subject | photovoltaic IR detector | en |
dc.subject | semi-closed two-zone system for epitaxial growh | en |
dc.subject | horizontal sliding system for epitaxial growth | en |
dc.subject | phase equilibrium | en |
dc.subject | interdiffusion in epi layer | en |
dc.subject | diffusion in solution for epitaxial growth | en |
dc.subject | compositional grading in epitaxial layer | en |
dc.subject | substrate boundary | en |
dc.subject | pоdlоgа | sr |
dc.title | Epitaksijalni rast iz tečne faze uskozonalnih poluporovodnika pogodnih za izradu detektora infracrvenog zračenja | sr |
dc.title | Liquid phase epitaxial growth of narrow gap semiconductors suitable for manufacturing infrared photodetectors | en |
dc.type | doctoralThesis | en |
dc.rights.license | BY | |
dcterms.abstract | Валчић, Aндреја; Ђурић, Зоран; Шепа, Марко; Матић, Милан; Смиљанић, Милољуб; Јовић, Весна Б.; Епитаксијални раст из течне фазе ускозоналних полупороводника погодних за израду детектора инфрацрвеног зрачења; Епитаксијални раст из течне фазе ускозоналних полупороводника погодних за израду детектора инфрацрвеног зрачења; | |
dc.identifier.fulltext | https://nardus.mpn.gov.rs/bitstream/id/17845/Disertacija.pdf | |
dc.identifier.fulltext | http://nardus.mpn.gov.rs/bitstream/id/17845/Disertacija.pdf | |
dc.identifier.rcub | https://hdl.handle.net/21.15107/rcub_nardus_2923 |